SIR800ADP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR800ADP-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化Qg、Qgd和Qgd / Qgs比率， 降低与开关相关的功率损耗。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义， 请参阅相关文档。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
3
货期
现货
SIR800ADP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
SIR800ADP-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化Qg、Qgd和Qgd / Qgs比率， 降低与开关相关的功率损耗。 100% Rg和UIS测试。 材料分类：有关合规性定义， 请参阅相关文档。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
SIR800ADP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIR800ADP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。