SIR798DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR798DP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至1.4毫欧， 栅源电压额定值为20V。 其极低的导通电阻显著降低导通损耗， 适用于大电流、高效率要求的电源管理、直流-直流转换及高功率负载开关等应用。 器件在高频工作条件下仍能保持良好的开关特性与热性能， 适合集成于对功率密度和散热有严苛要求的紧凑型电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
SIR798DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SIR798DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至1.4毫欧， 栅源电压额定值为20V。 其极低的导通电阻显著降低导通损耗， 适用于大电流、高效率要求的电源管理、直流-直流转换及高功率负载开关等应用。 器件在高频工作条件下仍能保持良好的开关特性与热性能， 适合集成于对功率密度和散热有严苛要求的紧凑型电子系统中。
SIR798DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR798DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。