SIR668DP-T1-RE3-HXY

该N沟道场效应管具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻（RDON）为3.6mΩ， 有助于降低导通损耗并提升整体能效。 其低电阻特性在高电流工作条件下可减少发热， 改善热管理。 适用于大功率电源转换、高效率直流-直流变换器、电池管理系统及高电流开关电路。 器件性能满足对功率密度和稳定性要求较高的应用需求， 适合用于需要可靠控制和高效能量传输的电子系统中。