SIR664DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR664DP-T1-GE3-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5.3mΩ。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升整体能效， 适用于高电流、高频率的电源转换、电机控制及各类高效电力电子系统。 其电气特性支持快速开关动作， 有助于实现紧凑且高效的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
61
货期
现货
SIR664DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 61 |
SIR664DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为5.3mΩ。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升整体能效， 适用于高电流、高频率的电源转换、电机控制及各类高效电力电子系统。 其电气特性支持快速开关动作， 有助于实现紧凑且高效的电路设计。
SIR664DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR664DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。