SIR662DP-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4毫欧。 低导通电阻有效减少导通损耗， 提升整体能效， 同时高电流能力支持大功率运行需求。 其电气特性适用于对热管理和效率有较高要求的电源系统， 如开关电源、电机控制单元及高密度功率模块等应用场景。