SIR618DP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR618DP-T1-GE3
N沟道200V(D-S) MOSFET， 采用ThunderFET技术优化参数平衡， 100% Rg和UIS测试， 符合RoHS标准且无卤
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
74
货期
现货
SIR618DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 74 |
SIR618DP-T1-GE3概述
N沟道200V(D-S) MOSFET， 采用ThunderFET技术优化参数平衡， 100% Rg和UIS测试， 符合RoHS标准且无卤
SIR618DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIR618DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。