SIR586DP-T1-RE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR586DP-T1-RE3
N沟道MOSFET， 采用TrenchFET Gen V技术， 具有低Rds(on) x Qg和Rds(on) x Qoss优值
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
6
货期
现货
SIR586DP-T1-RE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
SIR586DP-T1-RE3概述
N沟道MOSFET， 采用TrenchFET Gen V技术， 具有低Rds(on) x Qg和Rds(on) x Qoss优值
SIR586DP-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIR586DP-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。