SIR584DP-T1-RE3
IC
PowerPAK-SO-8
可供量大可议
SIR584DP-T1-RE3
特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了调整。 100%进行Rg和UIS测试。 RoHS合规， 无卤。 应用：同步整流。 初级侧开关
Brand
VISHAY
Package
PowerPAK-SO-8
Stock
5
货期
现货
SIR584DP-T1-RE3Parameters
| 封装 | PowerPAK-SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SIR584DP-T1-RE3概述
特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了调整。 100%进行Rg和UIS测试。 RoHS合规， 无卤。 应用：同步整流。 初级侧开关
SIR584DP-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIR584DP-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。