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SIR580DP-T1-RE3
IC

PowerPAK® SO-8

可供量大可议

SIR580DP-T1-RE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

品牌

VISHAY

封装

PowerPAK® SO-8

库存

11,283

货期

现货

SIR580DP-T1-RE3参数

封装PowerPAK® SO-8
品牌VISHAY(威世)
批次25+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))3.2mΩ@7.5V
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)4.1nF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存11,283
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)80V
耗散功率(Pd)4W
栅极电荷量(Qg)76nC@10V
工作温度-55℃~+150℃

SIR580DP-T1-RE3概述

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

SIR580DP-T1-RE3特性

暂无产品特性。

SIR580DP-T1-RE3应用领域

暂无应用领域。

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