SIR5607DP-T1-RE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR5607DP-T1-RE3
特性：TrenchFET Gen V p沟道功率MOSFET。 极低的RDS(on)， 可最大程度降低电压降并减少传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：适配器和充电器开关。 电池和电路保护
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
3,574
货期
现货
SIR5607DP-T1-RE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3574 |
SIR5607DP-T1-RE3概述
特性：TrenchFET Gen V p沟道功率MOSFET。 极低的RDS(on)， 可最大程度降低电压降并减少传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：适配器和充电器开关。 电池和电路保护
SIR5607DP-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIR5607DP-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。