SIR516DP-T1-RE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为100V， 导通电阻低至6.4毫欧。 其低导通电阻有效减少导通损耗， 适用于高效率电源转换、电机驱动、电池管理系统及大电流开关应用。 器件支持快速开关操作， 在高频工作条件下仍能维持较低的温升和稳定的电气性能， 适合对功率密度和热管理有较高要求的电子系统。