SIR516DP-T1-BE3-HXY

该N沟道MOSFET具备75A的漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.4毫欧。 低导通电阻有助于在大电流工作时显著降低功率损耗， 提升系统整体效率。 器件适用于高效率电源管理、电机控制、不间断电源及各类需要高电流承载能力与快速开关响应的电子设备中， 能够在持续高负载条件下保持稳定运行。