SIR5108DP-T1-RE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流和100V的漏源击穿电压， 导通电阻典型值为6.4毫欧。 低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 适用于高电流开关电源、电机控制、不间断电源及各类高效能电力电子转换场合。 其电气特性支持快速开关动作， 在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。