SIR5102DP-T1-BE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR5102DP-T1-BE3-HXY
该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为3.6毫欧。 低导通电阻有助于在大电流工作条件下显著降低功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高频率开关场景， 可有效支持电源转换、电机驱动及各类高功率电子系统中的关键开关功能， 其电气特性确保在严苛负载下仍维持稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
SIR5102DP-T1-BE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
SIR5102DP-T1-BE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为3.6毫欧。 低导通电阻有助于在大电流工作条件下显著降低功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高频率开关场景， 可有效支持电源转换、电机驱动及各类高功率电子系统中的关键开关功能， 其电气特性确保在严苛负载下仍维持稳定运行。
SIR5102DP-T1-BE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR5102DP-T1-BE3-HXY应用领域
暂无应用领域。