SIR482DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR482DP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具备80A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧， 在栅源电压（VGS）达20V时可确保可靠驱动。 其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升系统能效。 适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具及各类需要高效功率转换与快速开关响应的电子设备中， 能够有效支持紧凑布局与热管理需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
SIR482DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SIR482DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备80A的漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧， 在栅源电压（VGS）达20V时可确保可靠驱动。 其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗， 提升系统能效。 适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具及各类需要高效功率转换与快速开关响应的电子设备中， 能够有效支持紧凑布局与热管理需求。
SIR482DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR482DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。