SIR464DP-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR464DP-T1-GE3-MS
此款SIR464DP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为现代电子设备的小型化与高性能需求打造。 该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行， 提供高达150A的连续漏极电流(ID)， 显示出卓越的电力处理性能。 其显著特点是仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))， 有助于大幅度降低功耗， 提升系统效率， 广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源等领域， 是您构建高效节能电路的首选半导体器件。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
488
货期
现货
SIR464DP-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 488 |
SIR464DP-T1-GE3-MS概述
此款SIR464DP-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为现代电子设备的小型化与高性能需求打造。 该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定运行， 提供高达150A的连续漏极电流(ID)， 显示出卓越的电力处理性能。 其显著特点是仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))， 有助于大幅度降低功耗， 提升系统效率， 广泛应用于电源转换、电机驱动、新能源等领域， 是您构建高效节能电路的首选半导体器件。
SIR464DP-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SIR464DP-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。