SIR4604LDP-T1-GE3-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现， 适用于多种高效能场景。 其漏极电流ID可达65A， 漏源电压VDSS为60V， 导通电阻RDON低至8mΩ， 有效降低功耗并提升系统效率。 器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适用于电源管理、转换器、电池保护电路及高密度电力电子设备中的开关应用。 封装形式可根据需求适配不同场景， 满足多样化设计要求。