SIR4604DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR4604DP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有65A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为60V， 导通电阻低至8毫欧， 在栅源电压达20V时仍能稳定工作。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 适合在高频率下实现高效能量转换。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
20
货期
现货
SIR4604DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SIR4604DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有65A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为60V， 导通电阻低至8毫欧， 在栅源电压达20V时仍能稳定工作。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关特性， 适合在高频率下实现高效能量转换。
SIR4604DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR4604DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。