SIR4602LDP-T1-RE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR4602LDP-T1-RE3-HXY
该N沟道MOSFET具有65A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为60V， 导通电阻为8毫欧， 栅源电压额定值为20V。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。 适用于电源转换、电机驱动及高效率开关电路等场景， 尤其在需要兼顾功耗与空间布局的电子系统中表现稳定可靠。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
49
货期
现货
SIR4602LDP-T1-RE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
SIR4602LDP-T1-RE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有65A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为60V， 导通电阻为8毫欧， 栅源电压额定值为20V。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。 适用于电源转换、电机驱动及高效率开关电路等场景， 尤其在需要兼顾功耗与空间布局的电子系统中表现稳定可靠。
SIR4602LDP-T1-RE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR4602LDP-T1-RE3-HXY应用领域
暂无应用领域。