SIR422DP-T1-GE3
IC
可供量大可议
SIR422DP-T1-GE3
5W(Ta)， 34.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 48nC@ 10 V 1个N沟道 40V 6.6mΩ@ 20A, 10V 40A 1.785nF@20V PPAKSO-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
品牌
VISHAY
封装
库存
1,109
货期
现货
SIR422DP-T1-GE3参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1109 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 品牌 | VISHAY/威世 |
|---|---|
| 批次 | 2525+ |
SIR422DP-T1-GE3概述
5W(Ta)， 34.7W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 48nC@ 10 V 1个N沟道 40V 6.6mΩ@ 20A, 10V 40A 1.785nF@20V PPAKSO-8 贴片安装 4.9mm*5.89mm*1.07mm
SIR422DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIR422DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。