SIR403EDP-T1-GE3
IC
PowerPAK-SO-8
可供量大可议
SIR403EDP-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SO-8
库存
20
货期
现货
SIR403EDP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 5W； 56.8W |
| 栅极电荷量(Qg) | 153nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 820pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
| 商品型号 | SIR403EDP-T1-GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00038 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 880pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:40A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SIR403EDP-T1-GE3概述
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
SIR403EDP-T1-GE3特性
- 适用于适配器开关应用的扩展 VGS 范围(\pm 25V)
- 极低的 RDS(on)
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 典型 ESD 性能:4000V(HBM)
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
SIR403EDP-T1-GE3应用领域
- 适配器开关、负载开关
- 电源管理
- 笔记本电脑和便携式电池组