SIR402DP-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于高电流、高频开关场合， 如服务器电源、便携式储能设备及多相电源转换模块。 器件在保证高电流处理能力的同时， 维持良好的热稳定性和开关响应特性。