SIR401DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
SIR401DP-T1-GE3-HXY
ID:򑵼 򏟋 A, VDSS:󗙻 򑵼 V, RDON:򬓹 񄂹 󺺆 mR, VGS:󗙻 򘞟 V, TYPE:P沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5X6-8L
库存
160
货期
现货
SIR401DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET/深圳华轩阳 |
| 批次 | 25+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 160 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
SIR401DP-T1-GE3-HXY概述
ID:򑵼 򏟋 A, VDSS:󗙻 򑵼 V, RDON:򬓹 񄂹 󺺆 mR, VGS:󗙻 򘞟 V, TYPE:P沟道
SIR401DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR401DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。