SIR188DP-T1-RE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR188DP-T1-RE3
特性：沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 初级侧开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
7
货期
现货
SIR188DP-T1-RE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
SIR188DP-T1-RE3概述
特性：沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 初级侧开关
SIR188DP-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIR188DP-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。