SIR186DP-T1-RE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR186DP-T1-RE3-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧， 适用于对导通损耗和热效率要求严苛的高电流开关应用。 其极低的导通电阻有助于减少功率损耗， 提升系统整体能效， 在电源转换、大电流负载控制及高频开关电路中可提供稳定可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
SIR186DP-T1-RE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SIR186DP-T1-RE3-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧， 适用于对导通损耗和热效率要求严苛的高电流开关应用。 其极低的导通电阻有助于减少功率损耗， 提升系统整体能效， 在电源转换、大电流负载控制及高频开关电路中可提供稳定可靠的性能表现。
SIR186DP-T1-RE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR186DP-T1-RE3-HXY应用领域
暂无应用领域。