SIR184LDP-T1-RE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧。 其高电流承载能力与低导通损耗特性， 使其适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场合。 器件结构支持快速开关操作， 在电源管理、电机驱动及高频变换器等应用中可有效降低系统功耗并提升整体响应速度。