SIR182DP-T1-RE3-JSM
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR182DP-T1-RE3-JSM
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：120A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.3mR @20A, 10V
品牌
JSMSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
998
货期
现货
SIR182DP-T1-RE3-JSM参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 998 |
SIR182DP-T1-RE3-JSM概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：120A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.3mR @20A, 10V
SIR182DP-T1-RE3-JSM特性
暂无产品特性。
SIR182DP-T1-RE3-JSM应用领域
暂无应用领域。