SIR182DP-T1-RE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR182DP-T1-RE3-HXY
该N沟道MOSFET具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和125A的连续漏极电流（ID）， 导通状态下漏源导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4mΩ， 显著降低导通损耗。 器件支持高电流密度运行， 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及大功率电子开关等场合， 能够在高频操作中维持稳定的电气特性与较低的温升。
Brand
HXY MOSFET
Package
DFN-8L(5x6)
Stock
181
货期
现货
SIR182DP-T1-RE3-HXYParameters
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 181 |
SIR182DP-T1-RE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和125A的连续漏极电流（ID）， 导通状态下漏源导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4mΩ， 显著降低导通损耗。 器件支持高电流密度运行， 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及大功率电子开关等场合， 能够在高频操作中维持稳定的电气特性与较低的温升。
SIR182DP-T1-RE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR182DP-T1-RE3-HXY应用领域
暂无应用领域。