SIR170DP-T1-RE3-HXY

该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力， 导通电阻仅为3.6mΩ。 低RDON显著降低了导通损耗， 有助于提高电源转换效率并减少散热需求。 器件适用于高电流开关应用， 如大功率电源模块、高效直流-直流变换电路、电池管理系统中的功率控制， 以及对能效和热性能要求较高的设备。 其电气特性支持稳定可靠的功率传输与管理。