SIR165DP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR165DP-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen II p沟道功率MOSFET。 行业领先的RDS(on)规格（截至2017年11月）。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：适配器和充电器开关。 负载开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
11
货期
现货
SIR165DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11 |
SIR165DP-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen II p沟道功率MOSFET。 行业领先的RDS(on)规格（截至2017年11月）。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：适配器和充电器开关。 负载开关
SIR165DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIR165DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。