SIR158DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
SIR158DP-T1-GE3-HXY
SIR158DP-T1-GE3 是一款N沟道MOS管， 采用DFN5X6-8L封装， 专为现代紧凑型电子产品设计。 该器件能够在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定工作， 提供高达150A的连续漏极电流(ID)， 表现出卓越的电流处理能力。 其亮点是拥有仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))， 确保在大电流应用中实现高效能和低功耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、快速充电等领域， 是实现高性能电路设计的理想半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
5
货期
现货
SIR158DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SIR158DP-T1-GE3-HXY概述
SIR158DP-T1-GE3 是一款N沟道MOS管， 采用DFN5X6-8L封装， 专为现代紧凑型电子产品设计。 该器件能够在30V的最大漏源电压(VDSS)下稳定工作， 提供高达150A的连续漏极电流(ID)， 表现出卓越的电流处理能力。 其亮点是拥有仅2mΩ的超低导通电阻(RD(on))， 确保在大电流应用中实现高效能和低功耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动、快速充电等领域， 是实现高性能电路设计的理想半导体元件。
SIR158DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR158DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。