SIR112DP-T1-RE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR112DP-T1-RE3
特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 Qgd/Qgs 比率 < 1， 优化开关特性。 应用：同步整流。 OR-ing
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
228
货期
现货
SIR112DP-T1-RE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 228 |
SIR112DP-T1-RE3概述
特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 Qgd/Qgs 比率 < 1， 优化开关特性。 应用：同步整流。 OR-ing
SIR112DP-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIR112DP-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。