SIR106DP-T1-RE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR106DP-T1-RE3-HXY
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为80A， 漏源耐压VDSS为100V， 导通电阻RDON低至6.4mΩ。 该器件适用于多种功率控制场合， 如高效电源转换、电机控制、负载开关及电池管理系统等。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提高系统整体效率。 同时具备良好的热稳定性和快速开关响应特性， 适合用于对性能和可靠性有较高要求的电路设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
166
货期
现货
SIR106DP-T1-RE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 166 |
SIR106DP-T1-RE3-HXY概述
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为80A， 漏源耐压VDSS为100V， 导通电阻RDON低至6.4mΩ。 该器件适用于多种功率控制场合， 如高效电源转换、电机控制、负载开关及电池管理系统等。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提高系统整体效率。 同时具备良好的热稳定性和快速开关响应特性， 适合用于对性能和可靠性有较高要求的电路设计中。
SIR106DP-T1-RE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR106DP-T1-RE3-HXY应用领域
暂无应用领域。