SIR104LDP-T1-RE3-HXY

该N沟道场效应管具备85V漏源电压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力， 适用于中高功率开关电路。 其导通电阻为4.3mΩ， 有助于降低导通损耗， 提高能效表现。 器件采用先进半导体工艺， 具有良好的热稳定性与开关速度， 适合用于大电流电源管理、DC-DC转换模块及电机控制等应用。 优化的栅极设计减少了开关过程中的能量损耗， 配合紧凑封装， 有利于实现高密度电路集成与可靠性能。