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SIP32101DB-T1-GE1
IC

WCSP-12(1.3x1.7)

可供量大可议

SIP32101DB-T1-GE1

双向开关具有反向阻断功能, 可将电池与系统隔离。 内部开关具有超低的6.5 mΩ(典型值, 3.3 V时)导通电阻, 输入电压范围为+2.3 V至+5.5 V, 使其成为大容量电池应用的理想电池断开开关。 具有压摆率控制, 适用于大负载电容以及高电流负载开关应用。 这些器件效率高, 关断时仅消耗10 pA(典型值)电流, 工作时消耗15 pA电流。 SiP32101和SiP32103具有低电平有效使能, SiP32102具有高电平有效使能, 可直接与低电压控制信号接口。 采用超紧凑的12焊球、1.3 mm×1.7 mm、0.4 mm间距的WCSP封装, 顶部有层压。 器件工作温度范围为-40℃至+85℃。

品牌

VISHAY

封装

WCSP-12(1.3x1.7)

库存

3

货期

现货

SIP32101DB-T1-GE1参数

封装WCSP-12(1.3x1.7)
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类功率电子开关
库存3

SIP32101DB-T1-GE1概述

双向开关具有反向阻断功能, 可将电池与系统隔离。 内部开关具有超低的6.5 mΩ(典型值, 3.3 V时)导通电阻, 输入电压范围为+2.3 V至+5.5 V, 使其成为大容量电池应用的理想电池断开开关。 具有压摆率控制, 适用于大负载电容以及高电流负载开关应用。 这些器件效率高, 关断时仅消耗10 pA(典型值)电流, 工作时消耗15 pA电流。 SiP32101和SiP32103具有低电平有效使能, SiP32102具有高电平有效使能, 可直接与低电压控制信号接口。 采用超紧凑的12焊球、1.3 mm×1.7 mm、0.4 mm间距的WCSP封装, 顶部有层压。 器件工作温度范围为-40℃至+85℃。

SIP32101DB-T1-GE1特性

暂无产品特性。

SIP32101DB-T1-GE1应用领域

暂无应用领域。

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