SIP32101DB-T1-GE1
IC
WCSP-12(1.3x1.7)
可供量大可议
SIP32101DB-T1-GE1
双向开关具有反向阻断功能, 可将电池与系统隔离。 内部开关具有超低的6.5 mΩ(典型值, 3.3 V时)导通电阻, 输入电压范围为+2.3 V至+5.5 V, 使其成为大容量电池应用的理想电池断开开关。 具有压摆率控制, 适用于大负载电容以及高电流负载开关应用。 这些器件效率高, 关断时仅消耗10 pA(典型值)电流, 工作时消耗15 pA电流。 SiP32101和SiP32103具有低电平有效使能, SiP32102具有高电平有效使能, 可直接与低电压控制信号接口。 采用超紧凑的12焊球、1.3 mm×1.7 mm、0.4 mm间距的WCSP封装, 顶部有层压。 器件工作温度范围为-40℃至+85℃。
品牌
VISHAY
封装
WCSP-12(1.3x1.7)
库存
3
货期
现货
SIP32101DB-T1-GE1参数
| 封装 | WCSP-12(1.3x1.7) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率电子开关 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
SIP32101DB-T1-GE1概述
双向开关具有反向阻断功能, 可将电池与系统隔离。 内部开关具有超低的6.5 mΩ(典型值, 3.3 V时)导通电阻, 输入电压范围为+2.3 V至+5.5 V, 使其成为大容量电池应用的理想电池断开开关。 具有压摆率控制, 适用于大负载电容以及高电流负载开关应用。 这些器件效率高, 关断时仅消耗10 pA(典型值)电流, 工作时消耗15 pA电流。 SiP32101和SiP32103具有低电平有效使能, SiP32102具有高电平有效使能, 可直接与低电压控制信号接口。 采用超紧凑的12焊球、1.3 mm×1.7 mm、0.4 mm间距的WCSP封装, 顶部有层压。 器件工作温度范围为-40℃至+85℃。
SIP32101DB-T1-GE1特性
暂无产品特性。
SIP32101DB-T1-GE1应用领域
暂无应用领域。
