SIJK140E-T1-GE3
IC
PowerPAK10x12-8
可供量大可议
SIJK140E-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET领先的RDS(on)， 可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIs测试。 标准级FET。 增强功率耗散并降低RthJC。 材料分类：如需了解合规定义， 请参阅相关文档。 应用：同步整流。 自动化
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK10x12-8
库存
2
货期
现货
SIJK140E-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK10x12-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
SIJK140E-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET领先的RDS(on)， 可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIs测试。 标准级FET。 增强功率耗散并降低RthJC。 材料分类：如需了解合规定义， 请参阅相关文档。 应用：同步整流。 自动化
SIJK140E-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIJK140E-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。