SIJH5700E-T1-GE3
IC
PowerPAK8x8L
可供量大可议
SIJH5700E-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 完全无铅（Pb）器件。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）， 符合RoHS标准。 最大连续漏极电流高达174 A。 比D2PAK（TO-263）封装尺寸小50%。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 或运算
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK8x8L
库存
17
货期
现货
SIJH5700E-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK8x8L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
SIJH5700E-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。 完全无铅（Pb）器件。 极低的RDS×Qg品质因数（FOM）， 符合RoHS标准。 最大连续漏极电流高达174 A。 比D2PAK（TO-263）封装尺寸小50%。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 或运算
SIJH5700E-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIJH5700E-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。