SIJ4108DP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8L
可供量大可议
SIJ4108DP-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的Qg和Qoss， 可降低功率损耗并提高效率。 柔性引脚， 可承受机械应力。 100%进行Pg和UIS测试。 Qgd/Qgs比率<1， 优化开关特性。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8L
库存
2
货期
现货
SIJ4108DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8L |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
SIJ4108DP-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的Qg和Qoss， 可降低功率损耗并提高效率。 柔性引脚， 可承受机械应力。 100%进行Pg和UIS测试。 Qgd/Qgs比率<1， 优化开关特性。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
SIJ4108DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIJ4108DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。