SIHP12N50C-E3
IC
TO-220AB
可供量大可议
SIHP12N50C-E3
特性：低品质因数 Rₒₙ × Q₉。 100%雪崩测试。 改进的栅极电荷。 改进的 Tᵣᵣ / Qᵣᵣ。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
品牌
VISHAY
封装
TO-220AB
库存
969
货期
现货
SIHP12N50C-E3参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 969 |
SIHP12N50C-E3概述
特性：低品质因数 Rₒₙ × Q₉。 100%雪崩测试。 改进的栅极电荷。 改进的 Tᵣᵣ / Qᵣᵣ。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
SIHP12N50C-E3特性
暂无产品特性。
SIHP12N50C-E3应用领域
暂无应用领域。