SIHLL110TR-GE3
IC
SOT-223
可供量大可议
SIHLL110TR-GE3
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 SOT-223封装设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。 其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松自动拾取和放置， 但由于用于散热的扩大焊片， 具有改善热性能的额外优势。 在典型的表面贴装应用中， 功率耗散可能超过1.25W。
品牌
VISHAY
封装
SOT-223
库存
4,708
货期
现货
SIHLL110TR-GE3参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| 商品型号 | SIHLL110TR-GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00031 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4708 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 250pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:0.93A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SIHLL110TR-GE3概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。 其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松进行自动拾放, 并且由于散热片采用了加大的散热片, 还具有改善热性能的额外优势。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散可能超过1.25 W。
SIHLL110TR-GE3特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 快速开关
SIHLL110TR-GE3应用领域
暂无应用领域。