SIHK100N65E-T1-GE3-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻为94mΩ， 栅源电压工作范围为-10V至+25V。 基于碳化硅材料的特性， 器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗， 适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对热性能要求较高的电力电子设备。 其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性， 并在高温环境中维持稳定的电气特性。