SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为14A， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻典型值为260mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料优势， 在高电压条件下实现低导通损耗与快速开关特性， 同时具备良好的高温稳定性。 其N沟道结构与宽栅压范围适配多种驱动方案， 适用于对转换效率、热管理和开关频率有较高要求的电源系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
8
货期
现货
SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为14A， 漏源击穿电压为650V， 导通电阻典型值为260mΩ， 栅源驱动电压范围为-8V至+20V。 器件利用碳化硅材料优势， 在高电压条件下实现低导通损耗与快速开关特性， 同时具备良好的高温稳定性。 其N沟道结构与宽栅压范围适配多种驱动方案， 适用于对转换效率、热管理和开关频率有较高要求的电源系统。
SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。