SIHG33N60EF-GE3
IC
TO-247AC
可供量大可议
SIHG33N60EF-GE3
特性：采用E系列技术的快速体二极管MOSFET。 降低trr、Qrr和IRRM。 低品质因数 (FOM)：Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。 应用：电信。 服务器和电信电源
品牌
VISHAY
封装
TO-247AC
库存
5
货期
现货
SIHG33N60EF-GE3参数
| 封装 | TO-247AC |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SIHG33N60EF-GE3概述
特性：采用E系列技术的快速体二极管MOSFET。 降低trr、Qrr和IRRM。 低品质因数 (FOM)：Ron × Qg。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (Qg)。 应用：电信。 服务器和电信电源
SIHG33N60EF-GE3特性
暂无产品特性。
SIHG33N60EF-GE3应用领域
暂无应用领域。