SIHG32N50D-GE3
IC
TO-247AC
可供量大可议
SIHG32N50D-GE3
特性：优化设计。 低面积比导通电阻。 低输入电容 (Ciss)。 降低电容开关损耗。 高体二极管耐用性。 雪崩能量额定 (EAS)。 应用：消费电子。 显示器（LCD或等离子电视）
品牌
VISHAY
封装
TO-247AC
库存
1
货期
现货
SIHG32N50D-GE3参数
| 封装 | TO-247AC |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SIHG32N50D-GE3概述
特性：优化设计。 低面积比导通电阻。 低输入电容 (Ciss)。 降低电容开关损耗。 高体二极管耐用性。 雪崩能量额定 (EAS)。 应用：消费电子。 显示器（LCD或等离子电视）
SIHG32N50D-GE3特性
暂无产品特性。
SIHG32N50D-GE3应用领域
暂无应用领域。