SIHG22N65E-GE3-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
SIHG22N65E-GE3-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 其采用碳化硅材料， 具有较低的导通与开关损耗， 以及良好的高温工作稳定性。 适用于对效率和体积有较高要求的电源系统， 如通信设备供电、可再生能源转换装置、高频开关电源及高密度功率模块等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
20
货期
现货
SIHG22N65E-GE3-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SIHG22N65E-GE3-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力， 漏源击穿电压为800V， 导通电阻为165mΩ， 栅源电压工作范围为-8V至+20V。 其采用碳化硅材料， 具有较低的导通与开关损耗， 以及良好的高温工作稳定性。 适用于对效率和体积有较高要求的电源系统， 如通信设备供电、可再生能源转换装置、高频开关电源及高密度功率模块等场景。
SIHG22N65E-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIHG22N65E-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。