SIHG22N60EF-GE3-VB
IC
TO-247
可供量大可议
SIHG22N60EF-GE3-VB
特性：低品质因数 (FOM) R(on) × Q(g)。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (QG)。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
品牌
VBsemi
封装
TO-247
库存
5
货期
现货
SIHG22N60EF-GE3-VB参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SIHG22N60EF-GE3-VB概述
特性：低品质因数 (FOM) R(on) × Q(g)。 低输入电容 (Ciss)。 降低开关和传导损耗。 超低栅极电荷 (QG)。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
SIHG22N60EF-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SIHG22N60EF-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。