SIHFR9220-GE3
IC
TO-252AA
可供量大可议
SIHFR9220-GE3
第三代功率MOSFET技术是先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。 功率MOSFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻, 同时具备高跨导和极强的器件耐用性。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5W。
品牌
VISHAY
封装
TO-252AA
库存
100
货期
现货
SIHFR9220-GE3参数
| 封装 | TO-252AA |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
SIHFR9220-GE3概述
第三代功率MOSFET技术是先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。 功率MOSFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻, 同时具备高跨导和极强的器件耐用性。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5W。
SIHFR9220-GE3特性
暂无产品特性。
SIHFR9220-GE3应用领域
暂无应用领域。
