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SIHFR9220-GE3
IC

TO-252AA

可供量大可议

SIHFR9220-GE3

第三代功率MOSFET技术是先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。 功率MOSFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻, 同时具备高跨导和极强的器件耐用性。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5W。

品牌

VISHAY

封装

TO-252AA

库存

100

货期

现货

SIHFR9220-GE3参数

封装TO-252AA
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存100

SIHFR9220-GE3概述

第三代功率MOSFET技术是先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。 功率MOSFET设计的高效几何结构和独特工艺实现了极低的导通电阻, 同时具备高跨导和极强的器件耐用性。 DPAK专为采用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 直引脚版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散水平可达1.5W。

SIHFR9220-GE3特性

暂无产品特性。

SIHFR9220-GE3应用领域

暂无应用领域。

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