SIHFL9014TR-GE3
IC
SOT-223-3
可供量大可议
SIHFL9014TR-GE3
SIHFL9014TR-GE3
品牌
VISHAY
封装
SOT-223-3
库存
20
货期
现货
SIHFL9014TR-GE3参数
| 封装 | SOT-223-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF |
| 商品名称 | SIHFL9014TR-GE3 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | SIHFL9014TR-GE3 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000715 |
SIHFL9014TR-GE3概述
Vishay的第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。 其独特的封装设计使其能像其他SOT或SOIC封装一样便于自动拾放, 此外, 由于散热片的散热片增大, 还具有改善热性能的优势。 在典型的表面贴装应用中, 功率耗散可能超过1.25 W。
SIHFL9014TR-GE3特性
- 表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-P沟道-快速开关-易于并联
SIHFL9014TR-GE3应用领域
暂无应用领域。