SIHF9630STRL-GE3
IC
TO-263
可供量大可议
SIHF9630STRL-GE3
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装， 能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。 它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和最低的导通电阻。 由于其内部连接电阻低， D2PAK (TO-263)适用于大电流应用， 并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
品牌
VISHAY
封装
TO-263
库存
100
货期
现货
SIHF9630STRL-GE3参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
SIHF9630STRL-GE3概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装， 能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。 它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和最低的导通电阻。 由于其内部连接电阻低， D2PAK (TO-263)适用于大电流应用， 并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0W的功率。
SIHF9630STRL-GE3特性
暂无产品特性。
SIHF9630STRL-GE3应用领域
暂无应用领域。