SIHF18N50D-E3
IC
TO-220F
可供量大可议
SIHF18N50D-E3
特性：优化设计。 低面积比导通电阻。 低输入电容 (Ciss)。 降低电容开关损耗。 高体二极管耐用性。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：消费电子。 显示器（LCD 或等离子电视）
品牌
VISHAY
封装
TO-220F
库存
10
货期
现货
SIHF18N50D-E3参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SIHF18N50D-E3概述
特性：优化设计。 低面积比导通电阻。 低输入电容 (Ciss)。 降低电容开关损耗。 高体二极管耐用性。 雪崩能量额定 (UIS)。 应用：消费电子。 显示器（LCD 或等离子电视）
SIHF18N50D-E3特性
暂无产品特性。
SIHF18N50D-E3应用领域
暂无应用领域。